高纯钨靶和高纯钨钛合金靶、钨硅复合靶材通常被施以磁控溅射的方式制作各种复杂和高性能的薄膜材料。由于高纯钨或超纯钨（5 N或6 N）具有对电子迁移的高电阻、高温稳定性以及能形成稳定的硅化物，在电子工业中常以薄膜形式用作栅极、连接、过渡和障碍金属。超高纯钨及其硅化物还用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等。钨钛合金溅射靶材常用于制作薄膜系太阳能电池的过渡金属层。

用途：

规格：

名称	分子式	规格	尺寸		相对密度	晶粒度	缺陷率
纯钨靶	W	4N（99.99%）	英寸	毫米	≥99%	≯50µm	0
		5N（99.999%）	D（6,8,10,12） H（0.25,0.5,0.75）	直径150～350 厚度6～25
钨钛靶	WTi10 WTi20	4N（99.99%）			≥99%	≯50µm	0
		4N5（99.995%）

化学成分

规格等级化学指标			W/(W+Ti)≥99.99%			W/(W+Ti)≥99.995%				W≥99.999%
痕量杂质总和			≯100 ppm			≯50 ppm				≯10 ppm
杂质指标(ppm)			最大值		典型值	最大值		典型值		最大值		典型值
放射性元素	U		—		0.2	0.1		0.05		0.0008		0.0005
	Th		—		0.2	0.1		0.05		0.0008		0.0005
碱金属元素	Li		1		0.05	0.02		0.01		0.01		0.003
	Na		5		1	0.5		0.2		0.1		0.05
	K		5		1	0.1		0.05		0.05		0.03
Mo，Re			10		5	10		5		1		0.5
Fe，Cr			10		5	5		3		0.5		0.3
Ca，Si，Cu，Ni，Al，Zn，Sn，Mn，Co，Hg，V			2		1	0.5		0.3		0.2		0.2
P，As，Se			2		1	0.5		0.2		0.2		0.2
B，Pb，Sb，Be，Ba，Bi，Cd，Ge，Nb，Pt，Mg，Zr，Au，In，Ga，Ag			1		0.5	0.5		0.1		0.1		0.1
其它所有单个元素			1		0.5	0.5		0.1		0.1		0.1
气体分析（≯，ppm）		O		C			N		H		S
		30		20			20		20		10